Transistor bipolar 2SB816
Características del transistor 2SB816
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -150 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
- Disipación de Potencia Máxima: 80 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 200
- Frecuencia máxima de trabajo: 15 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -40 to +150 °C
- Encapsulado: TO-3P
Diagrama de pines del 2SB816
Clasificación de hFE
Marcado
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB816
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