Transistor bipolar 2SB1163

Características del transistor 2SB1163

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -180 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -180 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 150 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SB1163

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1163 puede tener una ganancia de corriente de 60 a 200. La ganancia del 2SB1163-P estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1163-Q estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB1163-S estará en el rango de 80 a 160.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1163 puede estar marcado sólo como "B1163".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1163 es el 2SD1718.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1163

Puede sustituir el 2SB1163 por el MJW1302A o MJW1302AG.
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