Transistor bipolar 2SB1163-P

Características del transistor 2SB1163-P

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -180 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -180 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 150 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SB1163-P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1163-P puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB1163 estará en el rango de 60 a 200, para el 2SB1163-Q estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB1163-S estará en el rango de 80 a 160.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1163-P puede estar marcado sólo como "B1163-P".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1163-P es el 2SD1718-P.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1163-P

Puede sustituir el 2SB1163-P por el MJL4302A, MJL4302AG, MJW1302A o MJW1302AG.
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