Transistor bipolar 2SB1361-P

Características del transistor 2SB1361-P

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -150 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -150 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -9 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 15 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SB1361-P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1361-P puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB1361 estará en el rango de 60 a 200, para el 2SB1361-Q estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB1361-S estará en el rango de 80 a 160.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1361-P puede estar marcado sólo como "B1361-P".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1361-P es el 2SD2052-P.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1361-P

Puede sustituir el 2SB1361-P por el 2SA1633, 2SA1633-E, 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1163, 2SB1163-P, 2SB1362, 2SB1362-P, MJW1302A o MJW1302AG.
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