Transistor bipolar KTB817

Características del transistor KTB817

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -140 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 15 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SB817 transistor

Diagrama de pines del KTB817

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTB817 puede tener una ganancia de corriente de 60 a 200. La ganancia del KTB817-O estará en el rango de 60 a 120, para el KTB817-Y estará en el rango de 100 a 200.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del KTB817 es el KTD1047.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTB817

Puede sustituir el KTB817 por el 2SB1162, 2SB1163, 2SB817, KTB817B, MJW1302A o MJW1302AG.
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