Transistor bipolar 2SB817C

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -140 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -160 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
• Disipación de Potencia Máxima: 120 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 100 a 200
• Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-3P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB817C puede estar marcado sólo como "B817C".El transistor NPN complementario del 2SB817C es el 2SD1047C.Puede sustituir el 2SB817C por el 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1163, 2SB1163-P, 2SB817, 2SB817-E, KTB817, KTB817-Y, KTB817B, KTB817B-Y, MJW1302A o MJW1302AG.