Transistor bipolar 2SB747-R

Características del transistor 2SB747-R

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 80
  • Frecuencia máxima de trabajo: 7 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SB747-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB747-R puede tener una ganancia de corriente de 40 a 80. La ganancia del 2SB747 estará en el rango de 40 a 200, para el 2SB747-P estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB747-Q estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB747-R puede estar marcado sólo como "B747-R".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB747-R es el 2SD812-R.

Versión SMD del transistor 2SB747-R

El BDP952 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB747-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB747-R

Puede sustituir el 2SB747-R por el 2N6134, 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1010M, 2SA771, 2SB1016, 2SB1016-R, 2SB1367, 2SB1367-R, 2SB595, 2SB595-R, 2SB633, 2SB633-C, 2SB708, 2SB708-R, 2SB995, 2SB995-R, BD244B, BD244C, BD538, BD538K, BD540B, BD540C, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSA1010R, KSB708, KSB708-R, KTB1367, KTB1367R, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5170, MJE5171, MJE5172, MJF15031, MJF15031G, MJF2955 o MJF2955G.
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