Transistor bipolar KTB1367

Características del transistor KTB1367

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 30 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 240
  • Frecuencia máxima de trabajo: 5 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1367 transistor

Diagrama de pines del KTB1367

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTB1367 puede tener una ganancia de corriente de 40 a 240. La ganancia del KTB1367O estará en el rango de 70 a 140, para el KTB1367R estará en el rango de 40 a 80, para el KTB1367Y estará en el rango de 120 a 240.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del KTB1367 es el KTD2059.

Versión SMD del transistor KTB1367

El BDP954 (SOT-223) es la versión SMD del transistor KTB1367.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTB1367

Puede sustituir el KTB1367 por el 2SB1016, 2SB1367, 2SB595, 2SB995, BD244C, BD540C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 o MJF15031G.
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