Transistor bipolar 2SB631-E

Características del transistor 2SB631-E

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 8 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 130 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB631-E

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB631-E puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB631 estará en el rango de 60 a 320, para el 2SB631-D estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB631-F estará en el rango de 160 a 320.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB631-E puede estar marcado sólo como "B631-E".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB631-E es el 2SD600-E.

Versión SMD del transistor 2SB631-E

El 2SA1201 (SOT-89), 2SA1368 (SOT-89), 2SA1368-D (SOT-89), 2SB805 (SOT-89), 2SB805-KM (SOT-89), 2SB806 (SOT-89), 2SB806-KR (SOT-89), 2SD1006 (SOT-89), 2SD1006-HM (SOT-89), 2SD1007 (SOT-89), 2SD1007-HR (SOT-89) y KTA1661 (SOT-89) es la versión SMD del transistor 2SB631-E.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB631-E

Puede sustituir el 2SB631-E por el 2SA1021, 2SA1021-O, 2SA1184, 2SA1220, 2SA1220-Q, 2SA1220A, 2SA1220A-Q, 2SA1249, 2SA1249-R, 2SA1358, 2SA1408, 2SA1408-O, 2SA1507, 2SA1507-R, 2SA795, 2SA795A, 2SB1144, 2SB1144-Q, 2SB1167, 2SB1167-R, 2SB1168, 2SB1168-R, 2SB631K, 2SB631K-E, 2SB649, 2SB649-C, 2SB649A, 2SB649A-C, BD792, KSA1220, KSA1220-O, KSA1220A, KSA1220A-O, KTA1700, KTA1704, KTA1704-Y o MJE254.
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