Transistor bipolar 2SB649

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -180 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
• Disipación de Potencia Máxima: 20 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 60 a 320
• Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-126

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB649 puede tener una ganancia de corriente de 60 a 320. La ganancia del 2SB649-B estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB649-C estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB649-D estará en el rango de 160 a 320.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB649 puede estar marcado sólo como "B649".El transistor NPN complementario del 2SB649 es el 2SD669.Puede sustituir el 2SB649 por el 2SA1021.