Transistor bipolar 2SB649A-C

Características del transistor 2SB649A-C

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -160 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -180 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB649A-C

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB649A-C puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB649A estará en el rango de 60 a 200, para el 2SB649A-B estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB649A-C puede estar marcado sólo como "B649A-C".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB649A-C es el 2SD669A-C.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB649A-C

Puede sustituir el 2SB649A-C por el 2SA1249, 2SA1249-R, 2SA1507, 2SA1507-R o KTA1700.
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