Transistor bipolar 2SB1167

Características del transistor 2SB1167

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 130 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB1167

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1167 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 400. La ganancia del 2SB1167-Q estará en el rango de 70 a 140, para el 2SB1167-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1167-S estará en el rango de 140 a 280, para el 2SB1167-T estará en el rango de 200 a 400.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1167 puede estar marcado sólo como "B1167".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1167 es el 2SD1724.

Versión SMD del transistor 2SB1167

El BDP954 (SOT-223) y BDP956 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB1167.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1167

Puede sustituir el 2SB1167 por el 2SB1168 o MJE254.
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