Transistor bipolar 2SD1006

Características del transistor 2SD1006

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 90 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 90 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-89

Diagrama de pines del 2SD1006

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1006 puede tener una ganancia de corriente de 90 a 400. La ganancia del 2SD1006-HK estará en el rango de 200 a 400, para el 2SD1006-HL estará en el rango de 135 a 270, para el 2SD1006-HM estará en el rango de 90 a 180.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1006 puede estar marcado sólo como "D1006".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SD1006 es el 2SB805.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1006

Puede sustituir el 2SD1006 por el 2SB805, 2SB806 o 2SD1007.
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