Transistor bipolar 2SB1167-R

Características del transistor 2SB1167-R

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 130 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB1167-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1167-R puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB1167 estará en el rango de 70 a 400, para el 2SB1167-Q estará en el rango de 70 a 140, para el 2SB1167-S estará en el rango de 140 a 280, para el 2SB1167-T estará en el rango de 200 a 400.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1167-R puede estar marcado sólo como "B1167-R".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1167-R es el 2SD1724-R.

Versión SMD del transistor 2SB1167-R

El BDP954 (SOT-223) y BDP956 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB1167-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1167-R

Puede sustituir el 2SB1167-R por el 2SB1168, 2SB1168-R, BD792 o MJE254.
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