Transistor bipolar 2SB649-C

Características del transistor 2SB649-C

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -180 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB649-C

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB649-C puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB649 estará en el rango de 60 a 320, para el 2SB649-B estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB649-D estará en el rango de 160 a 320.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB649-C puede estar marcado sólo como "B649-C".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB649-C es el 2SD669-C.

Versión SMD del transistor 2SB649-C

El PBHV9115T (SOT-23), PBHV9115X (SOT-89) y PBHV9115Z (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB649-C.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB649-C

Puede sustituir el 2SB649-C por el 2SA1021, 2SA1021-O, 2SA1249, 2SA1249-R, 2SA1408, 2SA1408-O, 2SA1507, 2SA1507-R, 2SB649A, 2SB649A-C o KTA1700.
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