Transistor bipolar 2SB806-KR

Características del transistor 2SB806-KR

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.7 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 90 a 180
  • Frecuencia máxima de trabajo: 75 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-89

Diagrama de pines del 2SB806-KR

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB806-KR puede tener una ganancia de corriente de 90 a 180. La ganancia del 2SB806 estará en el rango de 90 a 400, para el 2SB806-KP estará en el rango de 200 a 400, para el 2SB806-KQ estará en el rango de 135 a 270.

Marcado

El transistor 2SB806-KR está marcado como "KR".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB806-KR es el 2SD1007-HR.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB806-KR

Puede sustituir el 2SB806-KR por el 2SA1201, 2SD1007, 2SD1007-HR o KTA1661.
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