Bipolartransistor NTE375
Elektrische Eigenschaften des Transistors NTE375
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
- Verlustleistung, max: 25 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
- Übergangsfrequenz, min: 8 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -40 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des NTE375
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor NTE375
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