Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD610-Q
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 250 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SD610-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD610-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD610 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des 2SD610-R im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD610-S im Bereich von 40 bis 80.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD610-Q-Transistor könnte nur mit "D610-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD610-Q ist der 2SB630-Q.
