Bipolartransistor 2SD401A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD401A

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD401A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD401A kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD401A-K liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD401A-L im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD401A-M im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD401A-Transistor könnte nur mit "D401A" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD401A ist der 2SB546A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD401A

Sie können den Transistor 2SD401A durch einen 2SD401, 2SD402, 2SD610, 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792, 2SD792A, 2SD792B, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41F oder TIP42F ersetzen.
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