Bipolartransistor KTD2061

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD2061

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des KTD2061

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTD2061 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD2061O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des KTD2061Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD2061 ist der KTB1369.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD2061

Sie können den Transistor KTD2061 durch einen 2SC4382, 2SC4883A, 2SD1264A, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792A, 2SD792B, MJE15032 oder MJE15032G ersetzen.
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