Bipolartransistor 2SD1264A-P

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 180 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 240
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1264A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1264A liegt im Bereich von 60 bis 240, die des 2SD1264A-Q im Bereich von 60 bis 140.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1264A-P-Transistor könnte nur mit "D1264A-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1264A-P ist der 2SB940A-P.Sie können den Transistor 2SD1264A-P durch einen 2SC4382, 2SC4883A, 2SC5171, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792A, 2SD792B, KTD2061, MJE15032, MJE15032G, MJE15034 oder MJE15034G ersetzen.