Bipolartransistor MJE5730G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -300 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -300 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 150
• Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220
• Der MJE5730G ist die bleifreie Version des MJE5730-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor MJE5730G durch einen 2SA1009, 2SA1009A, MJE5730, MJE5731, MJE5731A, MJE5731AG, MJE5731G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 oder MJE5852G ersetzen.