Bipolartransistor MJE5731AG

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE5731AG

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -375 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -375 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der MJE5731AG ist die bleifreie Version des MJE5731A-Transistors

Pinbelegung des MJE5731AG

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE5731AG

Sie können den Transistor MJE5731AG durch einen 2SA1009A, MJE5731A, MJE5852 oder MJE5852G ersetzen.
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