Bipolartransistor MJE5731A

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE5731A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -375 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -375 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des MJE5731A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE5731A

Sie können den Transistor MJE5731A durch einen 2SA1009A, MJE5731AG, MJE5852 oder MJE5852G ersetzen.

Bleifreie Version

Der MJE5731AG-Transistor ist die bleifreie Version des MJE5731A.
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