Bipolartransistor MJE5731G

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -350 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -350 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 150
• Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220
• Der MJE5731G ist die bleifreie Version des MJE5731-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor MJE5731G durch einen 2SA1009, 2SA1009A, MJE5731, MJE5731A, MJE5731AG, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 oder MJE5852G ersetzen.