Bipolartransistor KTD2061O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD2061O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des KTD2061O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTD2061O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD2061 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des KTD2061Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD2061O ist der KTB1369O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD2061O

Sie können den Transistor KTD2061O durch einen 2SC4382, 2SC4883A, 2SD1264A, 2SD1264A-Q, 2SD610, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792A, 2SD792B, FJP5200, FJPF5200, MJE15032 oder MJE15032G ersetzen.
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