Bipolartransistor KTD2061Y
Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD2061Y
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 180 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
- Verlustleistung, max: 20 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
- Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des KTD2061Y
Klassifizierung von hFE
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD2061Y
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