Bipolartransistor KTD2061Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTD2061Y

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 180 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des KTD2061Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTD2061Y kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTD2061 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des KTD2061O im Bereich von 70 bis 140.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTD2061Y ist der KTB1369Y.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KTD2061Y

Sie können den Transistor KTD2061Y durch einen 2SC4382, 2SC4883A, 2SC5171, 2SD1264A, 2SD1264A-P, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792A, 2SD792B, MJE15032, MJE15032G, MJE15034 oder MJE15034G ersetzen.
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