Bipolartransistor KTB1369O

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -180 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -200 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 70 bis 140
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KTB1369O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTB1369 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des KTB1369Y im Bereich von 120 bis 240.Der komplementäre NPN-Transistor zum KTB1369O ist der KTD2061O.Sie können den Transistor KTB1369O durch einen 2SA1009, 2SA1668, 2SA1859A, 2SB630, 2SB940A, 2SB940A-Q, FJP1943, FJPF1943, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851 oder MJE5851G ersetzen.