Bipolartransistor 2SB834GR

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 150 bis 300
• Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB834GR kann eine Gleichstromverstärkung von 150 bis 300 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB834 liegt im Bereich von 60 bis 300, die des 2SB834O im Bereich von 60 bis 120, die des 2SB834Y im Bereich von 100 bis 200.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB834GR-Transistor könnte nur mit "B834GR" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB834GR ist der 2SD880GR.Der BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB834GR-Transistors.Sie können den Transistor 2SB834GR durch einen 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA1742, 2SA1742-L, 2SA1743, 2SA1743-L, 2SA1744, 2SA1744-L, 2SA770, 2SA771, 2SB1187, 2SB1375, 2SB1565, 2SB507, 2SB633, 2SB858, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, KSB1366, KSB1366-G, KTA1036, KTA1036-GR, KTA1046GR, KTB988, KTB988GR, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.