Bipolartransistor KSE13003TH1

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSE13003TH1

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 9 bis 16
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des KSE13003TH1

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSE13003TH1 kann eine Gleichstromverstärkung von 9 bis 16 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSE13003T liegt im Bereich von 8 bis 40, die des KSE13003TH2 im Bereich von 14 bis 21, die des KSE13003TH3 im Bereich von 19 bis 26.

Kennzeichnung

Der KSE13003TH1-Transistor ist als "E13003-1" gekennzeichnet.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSE13003TH1

Sie können den Transistor KSE13003TH1 durch einen 2SC3794, 2SC3794A, 2SC3795, 2SC3795A, 2SC3868, FJP13007, FJP13009, FJP13009H1, KSE13007, KSE13007F, KSE13009, KSE13009H1, MJE13005, MJE13005G, MJE13007, MJE13007A, MJE13007G, MJE13009, MJE13009G, MJE13070, MJE13071, MJE16002, MJE16004, MJE8502, MJE8503 oder STD13007F ersetzen.
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