Bipolartransistor FJP13009H1

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 400 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 700 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 9 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 8 bis 17
• Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor FJP13009H1 kann eine Gleichstromverstärkung von 8 bis 17 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJP13009 liegt im Bereich von 8 bis 40, die des FJP13009H2 im Bereich von 15 bis 28.Der FJP13009H1-Transistor ist als "J13009-1" gekennzeichnet.Sie können den Transistor FJP13009H1 durch einen KSE13009, KSE13009H1, MJE13009 oder MJE13009G ersetzen.