Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA539CR
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.2 A
Verlustleistung, max: 0.4 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSA539CR
Der KSA539CR wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSA539R. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSA539CR kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA539C liegt im Bereich von 40 bis 240, die des KSA539CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSA539CY im Bereich von 120 bis 240.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA539CR ist der KSC815CR.
SMD-Version des Transistors KSA539CR
Der 2SA1483 (SOT-89), 2SA1483-R (SOT-89), FJX733 (SOT-323) und FJX733R (SOT-323) ist die SMD-Version des KSA539CR-Transistors.
