Bipolartransistor 2SC2000

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2000

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
  • Verlustleistung, max: 0.6 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 70 MHz
  • Rauschzahl, max: 3 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SC2000

Der 2SC2000 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC2000 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2000-K liegt im Bereich von 90 bis 180, die des 2SC2000-L im Bereich von 60 bis 120, die des 2SC2000-M im Bereich von 40 bis 80.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2000-Transistor könnte nur mit "C2000" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC2000

Sie können den Transistor 2SC2000 durch einen KSC1008C oder KSC2331 ersetzen.
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