Bipolartransistor KSC1008CR

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
• Verlustleistung, max: 0.8 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 80
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92

Der KSC1008CR wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSC1008R.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSC1008CR kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1008C liegt im Bereich von 40 bis 400, die des KSC1008CG im Bereich von 200 bis 400, die des KSC1008CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSC1008CY im Bereich von 120 bis 240.Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC1008CR ist der KSA708CR.Sie können den Transistor KSC1008CR durch einen KSC2331 oder KSC2331R ersetzen.