Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2000-M
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.2 A
Verlustleistung, max: 0.6 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 80
Übergangsfrequenz, min: 70 MHz
Rauschzahl, max: 3 dB
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC2000-M
Der 2SC2000-M wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC2000-M kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2000 liegt im Bereich von 40 bis 180, die des 2SC2000-K im Bereich von 90 bis 180, die des 2SC2000-L im Bereich von 60 bis 120.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2000-M-Transistor könnte nur mit "C2000-M" gekennzeichnet sein.
