Bipolartransistor 2SA992

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA992

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA992

Der 2SA992 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA992 kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA992E liegt im Bereich von 400 bis 800, die des 2SA992F im Bereich von 300 bis 600, die des 2SA992P im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA992-Transistor könnte nur mit "A992" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA992 ist der 2SC1845.

SMD-Version des Transistors 2SA992

Der FJV992 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA992-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA992

Sie können den Transistor 2SA992 durch einen 2SA1016K, 2SA1285, 2SA1285A oder KSA992 ersetzen.
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