Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA872A-E
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
Verlustleistung, max: 0.3 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
Rauschzahl, max: 5 dB
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SA872A-E
Der 2SA872A-E wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA872A-E kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA872A liegt im Bereich von 250 bis 800, die des 2SA872A-D im Bereich von 250 bis 500.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA872A-E-Transistor könnte nur mit "A872A-E" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA872A-E ist der 2SC1775A-E.
SMD-Version des Transistors 2SA872A-E
Der FJV992 (SOT-23) und FJV992-E (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA872A-E-Transistors.
