Bipolartransistor FJV992-E

Elektrische Eigenschaften des Transistors FJV992-E

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular 2SA992E transistor

Pinbelegung des FJV992-E

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor FJV992-E kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des FJV992 liegt im Bereich von 200 bis 800, die des FJV992-F im Bereich von 300 bis 600, die des FJV992-P im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Der FJV992-E-Transistor ist als "2JE" gekennzeichnet.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum FJV992-E ist der FJV1845-E.

Transistor FJV992-E im TO-92-Gehäuse

Der 2SA992E ist die TO-92-Version des FJV992-E.

Ersatz und Äquivalent für Transistor FJV992-E

Sie können den Transistor FJV992-E durch einen KST93 oder PBHV9115T ersetzen.
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