Bipolartransistor 2SB716

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
• Verlustleistung, max: 0.75 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 250 bis 800
• Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-92MOD

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB716 kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB716-D liegt im Bereich von 250 bis 500, die des 2SB716-E im Bereich von 400 bis 800.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB716-Transistor könnte nur mit "B716" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB716 ist der 2SD756.Der FJV992 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SB716-Transistors.Sie können den Transistor 2SB716 durch einen 2SA1016K, 2SA1082, 2SA1085, 2SA1285, 2SA1285A, 2SA872A, 2SA992 oder KSA992 ersetzen.