Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1285-G
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
Verlustleistung, max: 0.9 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 400 bis 800
Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92MOD
Pinbelegung des 2SA1285-G
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SA1285-G kann eine Gleichstromverstärkung von 400 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1285 liegt im Bereich von 150 bis 800, die des 2SA1285-E im Bereich von 150 bis 300, die des 2SA1285-F im Bereich von 250 bis 500.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1285-G-Transistor könnte nur mit "A1285-G" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1285-G ist der 2SC3245-G.
SMD-Version des Transistors 2SA1285-G
Der FJV992 (SOT-23) und FJV992-E (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA1285-G-Transistors.
