Bipolartransistor 2SA872A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA872A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.05 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 250 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 120 MHz
  • Rauschzahl, max: 5 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SA872A

Der 2SA872A wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA872A kann eine Gleichstromverstärkung von 250 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA872A-D liegt im Bereich von 250 bis 500, die des 2SA872A-E im Bereich von 400 bis 800.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA872A-Transistor könnte nur mit "A872A" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA872A ist der 2SC1775A.

SMD-Version des Transistors 2SA872A

Der FJV992 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SA872A-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA872A

Sie können den Transistor 2SA872A durch einen 2SA1016K, 2SA1082, 2SA1085, 2SA1285, 2SA1285A, 2SA992, 2SB716 oder KSA992 ersetzen.
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