Bipolartransistor HSD1609

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 160 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
• Verlustleistung, max: 1.25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 320
• Übergangsfrequenz, min: 145 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SD1609 transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor HSD1609 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des HSD1609-B liegt im Bereich von 60 bis 120, die des HSD1609-C im Bereich von 100 bis 200, die des HSD1609-D im Bereich von 160 bis 320.Der komplementäre PNP-Transistor zum HSD1609 ist der HSB1109.Sie können den Transistor HSD1609 durch einen 2SC2258, 2SC2690A, 2SC3416, 2SC3417, 2SC3502, 2SC3503, 2SC3600, 2SC3601, 2SC3788, 2SC3789, 2SC3790, 2SC3955, 2SC3956, 2SD1609, 2SD1610, BD127, BD128, KSC2258, KSC2258A, KSC2690A, KSC3502 oder KSC3503 ersetzen.