Bipolartransistor 2SD1610

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1610

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 200 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 1.25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 320
  • Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -50 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD1610

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1610 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 320 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1610-B liegt im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1610-C im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1610-D im Bereich von 160 bis 320.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1610-Transistor könnte nur mit "D1610" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1610 ist der 2SB1110.

SMD-Version des Transistors 2SD1610

Der BF622 (SOT-89) und BF822 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SD1610-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1610

Sie können den Transistor 2SD1610 durch einen 2SC2258, 2SC2899, 2SC3416, 2SC3417, 2SC3502, 2SC3503, 2SC3600, 2SC3601, 2SC3788, 2SC3789, 2SC3790, 2SC3955, 2SC3956, BD127, BD128, BD129, BUX86, KSC2258, KSC2258A, KSC3502 oder KSC3503 ersetzen.
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