Bipolartransistor BDX67B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX67B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
  • Verlustleistung, max: 150 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BDX67B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDX67B ist der BDX66B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX67B

Sie können den Transistor BDX67B durch einen BDX67C, BDX69B, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032, MJ11032G oder MJ4035 ersetzen.
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