Bipolartransistor 2N6340G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6340G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30 bis 120
  • Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3
  • Der 2N6340G ist die bleifreie Version des 2N6340-Transistors

Pinbelegung des 2N6340G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6340G

Sie können den Transistor 2N6340G durch einen 2N6340, 2N6341 oder 2N6341G ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com