Bipolartransistor 2N6341G

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6341G

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
Verlustleistung, max: 200 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
Gehäuse: TO-3
Der 2N6341G ist die bleifreie Version des 2N6341-Transistors

Pinbelegung des 2N6341G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6341G

Sie können den Transistor 2N6341G durch einen 2N6341 ersetzen.

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