Bipolartransistor BD317

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD317

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 25
  • Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des BD317

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD317 ist der BD318.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD317

Sie können den Transistor BD317 durch einen 2N5629, 2N6284, 2N6284G, 2N6338, 2N6338G, 2N6339, 2N6339G, 2N6340, 2N6340G, 2N6341, 2N6341G, 2SC2433, BDX67B, BDX67C, BDX69B, BDX69C, MJ11016, MJ11016G, MJ11032, MJ11032G, MJ15003, MJ15003G oder MJ4035 ersetzen.
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