Bipolartransistor 2N5629

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 16 A
• Verlustleistung, max: 200 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 25 bis 100
• Übergangsfrequenz, min: 1 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N5629 ist der 2N6029.Sie können den Transistor 2N5629 durch einen 2N5038, 2N5038G, 2N5039, 2N5672, BD317, MJ15003 oder MJ15003G ersetzen.