Bipolartransistor 2N6341

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 180 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
• Verlustleistung, max: 200 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 30 bis 120
• Übergangsfrequenz, min: 40 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
• Gehäuse: TO-3

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Sie können den Transistor 2N6341 durch einen 2N6341G ersetzen.Der 2N6341G-Transistor ist die bleifreie Version des 2N6341.