Bipolartransistor BDP947

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDP947

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 475
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-223

Pinbelegung des BDP947

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Der BDP947-Transistor ist als "BDP947" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDP947 ist der BDP948.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDP947

Sie können den Transistor BDP947 durch einen BDP949, BDP951 oder NZT44H8 ersetzen.
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